著名半导体器件物理学家王守武先生

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本馆由[ 逝者安息 ]创建于2014年08月01日

著名半导体器件物理学家王守武先生逝世,享年95岁

发布时间:2014-08-01 09:03:35      发布人: 逝者安息
著名半导体器件物理学家、中国半导体科学奠基人之一、中国科学院半导体研究所研究员、中国科学院微电子研究所名誉所长、中科院院士王守武先生因病医治无效,于北京时间20147301615分在美国逝世,享年95岁。 

  王守武先生1950年至1956年任中国科学院应用物理研究所(现物理研究所)副研究员、研究员兼电学组组长。1956年至1960年任我国第一个半导体研究室的室主任、研究员。1960年至1982年任中国科学院半导体研究所研究员兼业务副所长。1980年当选为中国科学院院士。1980年至1986年兼任中国科学院109厂厂长。1982年至今任中国科学院半导体研究所研究员。1983年任国务院电子振兴领导小组集成电路顾问组组长,国家科委半导体专业组组长。1986年至今任中国科学院微电子中心名誉主任、中国科学院微电子研究所名誉所长。1956年起,他曾先后兼任清华大学无线电系半导体教研组第一任主任兼教授,中国科技大学技术物理系副主任兼教授,北京大学、复旦大学兼职教授,成都电子科技大学名誉教授,以及中国科学院研究生院终身教授等职。他是第三、四届全国人大代表,第五、六、七届全国政协委员。 

  王守武先生在半导体科学领域成果丰硕。他组织领导并亲自参加了我国第一台单晶炉的设计,第一根锗单晶的拉制,第一只锗晶体管的研制和第一根硅单晶的拉制。1958 年他亲自创建中国科学院109厂,实现了锗高频晶体管的批量生产。他的卓越贡献也为他赢得了诸多荣誉,曾荣获中国科学院1979年和1981年科研成果一等奖、中国科学院1985年科技进步二等奖、中国科学院1990年科技进步二等奖、1987年国家科学技术进步二等奖、何梁何利基金2000年度科学与技术进步奖。1979年获全国劳动模范称号。 

  王守武先生把发展我国半导体科学事业视为已任,兢兢业业为之奋斗了一生。他远见卓识,富于开创精神,勇于以学科发展中的关键课题和影响大的问题为目标,开拓新研究领域;他事业心强,奋发努力,从不满足已有成果,不断为自己提出新课题,并都以发展国民经济、增强综合国力为出发点;他对工作十分认真,重视实践,讲究实效,严格按科学规律办事;他为人忠厚、诚实,待人谦和,作风民主,无论是在学术讨论中,或做其他工作时,总是谦虚谨慎,平等待人。他的为人和他的科学成果一样,赢得了人们的爱戴和敬重。 

  王守武先生虚怀若谷,克己奉公,严于律己,宽厚待人,对党、对国家、对人民无限忠诚。他用无私奉献谱写了精彩人生,为我们树立了光辉榜样。他的一生是为科学事业不懈奋斗的一生,他的逝世是科学界的一大损失,我们深切怀念王守武先生,沉痛悼念王守武先生! 

  王守武先生治丧委员会决定2014年8月4日-8月12在中国科学院半导体研究所学术会议中心设灵堂供各界人士吊唁,并20148月12日(星期二)上午9:0011:00在中国科学院半导体研究所学术会议中心举行王守武先生追思会。 

  特此讣告。 

    

  王守武先生治丧委员会 

  中国科学院半导体研究所 

    中国科学院微电子研究所 

  2014730 


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